Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Wavelength shifting of adjacen...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Wavelength shifting of adjacent quantum wells in V-groove quantum wire structure by selective implantation and annealing
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Liu, X
,
Lu, W
,
Chen, X
,
Shen, S
,
Tan, H
,
Yuan, S
,
Jagadish, C
,
Johnston, M
,
Dao, L
,
Gal, M
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Format:
Journal article
Publicat:
2000
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Descripció
Sumari:
Ítems similars
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
per: Kim, Y, et al.
Publicat: (1996)
Carrier transfer between V-grooved quantum wire and vertical quantum well
per: Lu, W, et al.
Publicat: (2001)
Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
per: Zhao, Q, et al.
Publicat: (2000)
Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
per: Liu, X, et al.
Publicat: (1999)
Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing
per: Li, N, et al.
Publicat: (2000)