Wavelength shifting of adjacent quantum wells in V-groove quantum wire structure by selective implantation and annealing
المؤلفون الرئيسيون: | Liu, X, Lu, W, Chen, X, Shen, S, Tan, H, Yuan, S, Jagadish, C, Johnston, M, Dao, L, Gal, M, Zou, J, Cockayne, D |
---|---|
التنسيق: | Journal article |
منشور في: |
2000
|
مواد مشابهة
-
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
حسب: Kim, Y, وآخرون
منشور في: (1996) -
Carrier transfer between V-grooved quantum wire and vertical quantum well
حسب: Lu, W, وآخرون
منشور في: (2001) -
Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
حسب: Zhao, Q, وآخرون
منشور في: (2000) -
Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
حسب: Liu, X, وآخرون
منشور في: (1999) -
Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing
حسب: Li, N, وآخرون
منشور في: (2000)