تخطي إلى المحتوى
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
اللغة
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Wavelength shifting of adjacen...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
رابط دائم
Wavelength shifting of adjacent quantum wells in V-groove quantum wire structure by selective implantation and annealing
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:
Liu, X
,
Lu, W
,
Chen, X
,
Shen, S
,
Tan, H
,
Yuan, S
,
Jagadish, C
,
Johnston, M
,
Dao, L
,
Gal, M
,
Zou, J
,
Cockayne, D
التنسيق:
Journal article
منشور في:
2000
المقتنيات
الوصف
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
مواد مشابهة
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
حسب: Kim, Y, وآخرون
منشور في: (1996)
Carrier transfer between V-grooved quantum wire and vertical quantum well
حسب: Lu, W, وآخرون
منشور في: (2001)
Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
حسب: Zhao, Q, وآخرون
منشور في: (2000)
Spatially resolved luminescence investigation of AlGaAs/GaAs single quantum wires modified by selective implantation and annealing
حسب: Liu, X, وآخرون
منشور في: (1999)
Influence on GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector of proton implantation and rapid thermal annealing
حسب: Li, N, وآخرون
منشور في: (2000)