Towards cavity quantum electrodynamics and coherent control with single InGaN/GaN quantum dots

Towards cavity quantum electrodynamics and coherent control with single InGaN/GaN quantum dots

<p>Experimental investigations of the optical properties of InGaN/GaN quantum dots are presented. A pulsed laser is used to perform time-integrated and time-resolved microphotoluminescence, photoluminescence excitation, and polarisation-resolved spectroscopy of single InGaN quantum dots under...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Reid, BPL
অন্যান্য লেখক:	Taylor, R
বিন্যাস:	গবেষণাপত্র
ভাষা:	English
প্রকাশিত:	2013
বিষয়গুলি:	Condensed Matter Physics Physics

অনুরূপ উপাদানগুলি

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Dependence of carrier localization in InGaN/GaN multiple-quantum wells on well thickness
অনুযায়ী: Na, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)

Time-integrated and time-resolved optical studies of InGaN quantum dots
অনুযায়ী: Robinson, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Quantum-confined Stark effect in a single InGaN quantum dot under a lateral electric field
অনুযায়ী: Robinson, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Two-dimensional exciton behavior in GaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy
অনুযায়ী: Na, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Strain Effects on the Band Structures of Monolayer GaN from the Density Functional Theory
অনুযায়ী: Hidayati, Sri, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022)

Optical spectroscopy of a single GaAs quantum ring
অনুযায়ী: Kim, H
প্রকাশিত: (2014)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
অনুযায়ী: Teo, Y. C., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
অনুযায়ী: Martin, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Source data for "Highly polarized electrically driven single-photon emission from a non-polar InGaN quantum dot"
অনুযায়ী: Kocher, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2008)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Effect of thermal interaction between bulk GaN substrates and corral sapphire on blue light emission InGaN/GaN multi-quantum wells by MOCVD
অনুযায়ী: Sivanathan, P.C., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)

Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography
অনুযায়ী: Lee, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)

Cavity-enhanced blue single-photon emission from a single InGaN/GaN quantum dot
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Materials and processing issues in vertical GaN power electronics
অনুযায়ী: Hu, Jie, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019)

A hole modulator for InGaN/GaN light-emitting diodes
অনুযায়ী: Zhang, Zi-Hui, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015)

Two-photon autocorrelation measurements on a single InGaN/GaN quantum dot.
অনুযায়ী: Collins, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Optical studies of non-linear absorption in single InGaN/GaN quantum dots
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Quantum dot emission from selectively-grown InGaN/GaN micropyramid arrays
অনুযায়ী: Taylor, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Two-photon absorption in single site-controlled InGaN/GaN quantum dots
অনুযায়ী: Jarjour, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Quantum dot emission from site-controlled InGaN/GaN micropyramid arrays
অনুযায়ী: Edwards, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
অনুযায়ী: Watson-Parris, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

Quantum confined Stark effect of InGaN/GaN multi-quantum disks grown on top of GaN nanorods.
অনুযায়ী: Park, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)

Reduction in the Photoluminescence Intensity Caused by Ultrathin GaN Quantum Barriers in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
অনুযায়ী: Wei Liu, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-02-01)

Theoretical and experimental analysis of radiative recombination lifetimes in nonpolar InGaN/GaN quantum dots
অনুযায়ী: Kanta Patra, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017)

Optical properties of single photon emitters with GaN, SiC, and perovskites quantum dots
অনুযায়ী: Wang, Ziyu
প্রকাশিত: (2021)

Quantum confined carrier transition in a GaN/InGaN/GaN single quantum well bounded by AlGaN barriers
অনুযায়ী: Park, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)

Oscillations in Absorption from InGaN/GaN Quantum Well to Continuum
অনুযায়ী: Marta Gładysiewicz-Kudrawiec, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2025-01-01)

Dynamics of single InGaN quantum dots
অনুযায়ী: Taylor, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)

InGaN quantum dots for micro-LEDs
অনুযায়ী: Lai Wang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-10-01)

Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
অনুযায়ী: Oliver, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2003)

InGaN/GaN QWs on tetrahedral structures grown on graphene/SiC
অনুযায়ী: Bosch, Julien, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

Selective self-assembly and characterization of GaN nanopyramids on m-plane InGaN/GaN quantum disks.
অনুযায়ী: Park, Y, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012)

Patterned growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN grating by molecular beam epitaxy
অনুযায়ী: Wang Yongjin, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011-01-01)

Two-channel Kondo phases in coupled quantum dots
অনুযায়ী: Mitchell, A
প্রকাশিত: (2009)

Optical studies of quantum dot-like emission from localisation centres in InGaN/GaN nanorod array LEDs
অনুযায়ী: Chan, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012)

Electronic surface, optical and electrical properties of p – GaN activated via in-situ MOCVD and ex-situ thermal annealing in InGaN/GaN LED
অনুযায়ী: Mahat, Mohamad Raqif, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020)