Towards cavity quantum electrodynamics and coherent control with single InGaN/GaN quantum dots
<p>Experimental investigations of the optical properties of InGaN/GaN quantum dots are presented. A pulsed laser is used to perform time-integrated and time-resolved microphotoluminescence, photoluminescence excitation, and polarisation-resolved spectroscopy of single InGaN quantum dots under...
Հիմնական հեղինակ: | Reid, BPL |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Taylor, R |
Ձևաչափ: | Թեզիս |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2013
|
Խորագրեր: |
Նմանատիպ նյութեր
-
Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
: Jarjour, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2007) -
Dependence of carrier localization in InGaN/GaN multiple-quantum wells on well thickness
: Na, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006) -
Time-integrated and time-resolved optical studies of InGaN quantum dots
: Robinson, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005) -
Quantum-confined Stark effect in a single InGaN quantum dot under a lateral electric field
: Robinson, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005) -
Two-dimensional exciton behavior in GaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy
: Na, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)