Gelijkaardige items
-
PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
door: Demenet, J, et al.
Gepubliceerd in: (1989) -
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
door: Wilshaw, P, et al.
Gepubliceerd in: (1989) -
VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
door: 359597 Ghandi, Sorab K.
Gepubliceerd in: (1994) -
VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide/
door: 359597 Ghandi, Sorab K.
Gepubliceerd in: (1983) -
Light depolarization effects in tip enhanced Raman spectroscopy of silicon (001) and gallium arsenide (001)
door: P. G. Gucciardi, et al.
Gepubliceerd in: (2011-09-01)