Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprog
Alle Felter
Titel
Forfatter
Fag
Klassifikationsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Find
Udvidet
Competing growth mechanisms of...
Citér dette
Stav dette
Email dette
Udskriv
Eksportér post
Eksportér til RefWorks
Eksportér til EndNoteWeb
Eksportér til EndNote
Permanent link
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Bibliografiske detaljer
Main Authors:
Goldfarb, I
,
Hayden, P
,
Owen, J
,
Briggs, G
Format:
Journal article
Udgivet:
1997
Beholdninger
Beskrivelse
Lignende værker
Medarbejdervisning
Beskrivelse
Summary:
Lignende værker
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
af: Goldfarb, I, et al.
Udgivet: (1999)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
af: Goldfarb, I, et al.
Udgivet: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
af: Goldfarb, I, et al.
Udgivet: (1997)
Nucleation of ''hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy
af: Goldfarb, I, et al.
Udgivet: (1997)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
af: Owen, J, et al.
Udgivet: (1997)