Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Հիմնական հեղինակներ: | Goldfarb, I, Hayden, P, Owen, J, Briggs, G |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
1997
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1999) -
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1997) -
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1997) -
Nucleation of ''hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1997) -
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
: Owen, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)