Saltar al contenido
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Lenguaje
Todos los Campos
Título
Autor
Materia
Número de Clasificación
ISBN/ISSN
Etiqueta
Buscar
Avanzado
Competing growth mechanisms of...
Citar
Describir
Enviar este por Correo electrónico
Imprimir
Exportar Registro
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enlace Permanente
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Detalles Bibliográficos
Autores principales:
Goldfarb, I
,
Hayden, P
,
Owen, J
,
Briggs, G
Formato:
Journal article
Publicado:
1997
Existencias
Descripción
Ejemplares similares
Vista Equipo
Ejemplares similares
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1999)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1997)
Nucleation of ''hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1997)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
por: Owen, J, et al.
Publicado: (1997)