Pular para o conteúdo
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Todos os campos
Título
Autor
Assunto
Número de Chamada
ISBN/ISSN
Tag
Buscar
Avançada
Competing growth mechanisms of...
Citar
Enviar por SMS
Enviar por e-mail
Imprimir
Exportar registro
Exportar para RefWorks
Exportar para EndNoteWeb
Exportar para EndNote
Link permanente
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Detalhes bibliográficos
Principais autores:
Goldfarb, I
,
Hayden, P
,
Owen, J
,
Briggs, G
Formato:
Journal article
Publicado em:
1997
Itens
Descrição
Registros relacionados
Registro fonte
Registros relacionados
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado em: (1999)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado em: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado em: (1997)
Nucleation of ''hut'' pits and clusters during gas-source molecular-beam epitaxy of Ge/Si(001) in in situ scanning tunnelng microscopy
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado em: (1997)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
por: Owen, J, et al.
Publicado em: (1997)