Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
ANALYSIS OF THERMAL ACTIVATION...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
ANALYSIS OF THERMAL ACTIVATION OF 2-DIMENSIONAL SHUBNIKOV-DE HAAS CONDUCTIVITY MINIMA AND MAXIMA
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Nicholas, R
,
Stradling, R
,
Askenazy, S
,
Perrier, P
,
Portal, J
Format:
Journal article
Publicat:
1978
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
EVIDENCE FOR ANDERSON LOCALIZATION IN LANDAU-LEVEL TAILS FROM ANALYSIS OF 2-DIMENSIONAL SHUBNIKOV-DE HAAS CONDUCTIVITY MINIMA
per: Nicholas, R, et al.
Publicat: (1977)
SHUBNIKOV-DEHAAS OSCILLATIONS IN N-CHANNEL SILICON (100) MOSFETS IN MAGNETIC-FIELDS UP TO 35-T
per: Nicholas, R, et al.
Publicat: (1979)
Shubnikov–de Haas Oscillations in Semiconductors at the Microwave-Radiation Absorption
per: G. Gulyamov, et al.
Publicat: (2019-01-01)
Study of the fermi surfaces of graphite intercalation compounds using Shubnikov de Haas effect
per: Hakimi, Farhad.
Publicat: (2022)
Modeling the Temperature Dependence of Shubnikov-De Haas Oscillations in Light-Induced Nanostructured Semiconductors
per: Ulugbek I. Erkaboev, et al.
Publicat: (2024-03-01)