Joan edukira
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Hizkuntza
Eremu guztiak
Izenburua
Egilea
Gaia
Sailkapena
ISBN/ISSN
Etiketa
Bilatu
Aurreratua
Using growth kinetics for nano...
Erreferentzia bihurtu
SMS
Bidali
Imprimir
Erregistroa esportatu
Nora RefWorks
Nora EndNoteWeb
Nora EndNote
Permanent link
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Xehetasun bibliografikoak
Egile Nagusiak:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Formatua:
Conference item
Argitaratua:
1998
Aleari buruzko argibideak
Deskribapena
Antzeko izenburuak
MARC erregistroa
Deskribapena
Gaia:
Antzeko izenburuak
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
nork: Goldfarb, I, et al.
Argitaratua: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
nork: Owen, J, et al.
Argitaratua: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
nork: Goldfarb, I, et al.
Argitaratua: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
nork: Goldfarb, I, et al.
Argitaratua: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
nork: Goldfarb, I, et al.
Argitaratua: (1997)