Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
Using growth kinetics for nano...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Бібліографічні деталі
Автори:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Формат:
Conference item
Опубліковано:
1998
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Опис
Резюме:
Схожі ресурси
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
за авторством: Owen, J, та інші
Опубліковано: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
за авторством: Goldfarb, I, та інші
Опубліковано: (1997)