Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Using growth kinetics for nano...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Médium:
Conference item
Vydáno:
1998
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1997)