İçeriği atla
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Dil
Tüm Alanlar
Materyal Adı
Yazar
Konu
Yer Numarası
ISBN/ISSN
Etiket
Ara
Gelişmiş
Using growth kinetics for nano...
Alıntıla
Telefona gönder
E-posta Gönder
Yazdır
Kaydı İhraç Et
İhraç Et RefWorks
İhraç Et EndNoteWeb
İhraç Et EndNote
Kalıcı bağlantı
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Materyal Türü:
Conference item
Baskı/Yayın Bilgisi:
1998
Erişim Bilgileri
Diğer Bilgiler
Benzer Materyaller
MARC Görünümü
Benzer Materyaller
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Yazar:: Goldfarb, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Yazar:: Owen, J, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Yazar:: Goldfarb, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
Yazar:: Goldfarb, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Yazar:: Goldfarb, I, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (1997)