Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
প্রধান লেখক: | Goldfarb, I, Briggs, G |
---|---|
বিন্যাস: | Conference item |
প্রকাশিত: |
1998
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999) -
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
অনুযায়ী: Owen, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997) -
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997) -
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997) -
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)