Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Үндсэн зохиолчид: | Goldfarb, I, Briggs, G |
---|---|
Формат: | Conference item |
Хэвлэсэн: |
1998
|
Ижил төстэй зүйлс
Ижил төстэй зүйлс
-
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1999) -
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
-н: Owen, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997) -
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997) -
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997) -
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)