বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
ভাষা
সমস্ত ক্ষেত্রসমূহ
আখ্যা
লেখক
বিষয়
ডাক সংখ্যা
আইসবিএন/আইএসএসএন
ট্যাগ
অনুসন্ধান
বিস্তৃত
Using growth kinetics for nano...
সাইট করুন
এই পাঠটি
এই ই-মেইলটি
মুদ্রণ
নথি এক্সপোর্ট করুন
এক্সপোর্ট করুন RefWorks
এক্সপোর্ট করুন EndNoteWeb
এক্সপোর্ট করুন EndNote
স্থায়ী লিঙ্ক
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
বিন্যাস:
Conference item
প্রকাশিত:
1998
হোল্ডিংস
বিবরন
অনুরূপ উপাদানগুলি
স্টাফেদের বিবরণ দেখুন
অনুরূপ উপাদানগুলি
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
অনুযায়ী: Owen, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
অনুযায়ী: Goldfarb, I, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)