Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Using growth kinetics for nano...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Publicat:
1998
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
per: Goldfarb, I, et al.
Publicat: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
per: Owen, J, et al.
Publicat: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
per: Goldfarb, I, et al.
Publicat: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
per: Goldfarb, I, et al.
Publicat: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
per: Goldfarb, I, et al.
Publicat: (1997)