Neidio i'r cynnwys
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Iaith
Pob Maes
Teitl
Awdur
Pwnc
Rhif Galw
ISBN/ISSN
Tag
Canfod
Uwch
Using growth kinetics for nano...
Dyfynnu hwn
Anfonwch hwn fel neges destun
E-bostio hwn
Argraffu
Allforio Cofnod
Allforio i RefWorks
Allforio i EndNoteWeb
Allforio i EndNote
Permanent link
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awduron:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Fformat:
Conference item
Cyhoeddwyd:
1998
Daliadau
Disgrifiad
Eitemau Tebyg
Dangos Staff
Eitemau Tebyg
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
gan: Goldfarb, I, et al.
Cyhoeddwyd: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
gan: Owen, J, et al.
Cyhoeddwyd: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
gan: Goldfarb, I, et al.
Cyhoeddwyd: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
gan: Goldfarb, I, et al.
Cyhoeddwyd: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
gan: Goldfarb, I, et al.
Cyhoeddwyd: (1997)