Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Using growth kinetics for nano...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Μορφή:
Conference item
Έκδοση:
1998
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
ανά: Goldfarb, I, κ.ά.
Έκδοση: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
ανά: Owen, J, κ.ά.
Έκδοση: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
ανά: Goldfarb, I, κ.ά.
Έκδοση: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
ανά: Goldfarb, I, κ.ά.
Έκδοση: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
ανά: Goldfarb, I, κ.ά.
Έκδοση: (1997)