Saltar al contenido
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Lenguaje
Todos los Campos
Título
Autor
Materia
Número de Clasificación
ISBN/ISSN
Etiqueta
Buscar
Avanzado
Using growth kinetics for nano...
Citar
Describir
Enviar este por Correo electrónico
Imprimir
Exportar Registro
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enlace Permanente
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Detalles Bibliográficos
Autores principales:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Formato:
Conference item
Publicado:
1998
Existencias
Descripción
Ejemplares similares
Vista Equipo
Ejemplares similares
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
por: Owen, J, et al.
Publicado: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
por: Goldfarb, I, et al.
Publicado: (1997)