Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Using growth kinetics for nano...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Aineistotyyppi:
Conference item
Julkaistu:
1998
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Tekijä: Goldfarb, I, et al.
Julkaistu: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Tekijä: Owen, J, et al.
Julkaistu: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Tekijä: Goldfarb, I, et al.
Julkaistu: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
Tekijä: Goldfarb, I, et al.
Julkaistu: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
Tekijä: Goldfarb, I, et al.
Julkaistu: (1997)