Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
Using growth kinetics for nano...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Izdano:
1998
Primjerci
Opis
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
od: Goldfarb, I, i dr.
Izdano: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
od: Owen, J, i dr.
Izdano: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
od: Goldfarb, I, i dr.
Izdano: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
od: Goldfarb, I, i dr.
Izdano: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
od: Goldfarb, I, i dr.
Izdano: (1997)