Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
Using growth kinetics for nano...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Ձևաչափ:
Conference item
Հրապարակվել է:
1998
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
: Owen, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
: Goldfarb, I, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)