Агуулга руу алгасах
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Хэл сонгох
Бүх талбарууд
Гарчиг
Зохиогч
Сэдэв
Зохиогчийн тэмдэгт
ISBN/ISSN
Шошго
Хайх
Дэлгэрэнгүй
Using growth kinetics for nano...
Үүнийг ишлэх
Үүнийг мессежээр илгээх
Үүнийг цахим шуудангаар илгээх
Хэвлэх
Бүртгэлийг экспортлох
RefWorks руу экспортлох
EndNoteWeb руу экспортлох
EndNote руу экспортлох
Байнгын холбоос
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолчид:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Формат:
Conference item
Хэвлэсэн:
1998
Түр хойшлуулсан зүйлс
Тодорхойлолт
Ижил төстэй зүйлс
Ажилтнуудыг харах
Ижил төстэй зүйлс
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
-н: Owen, J, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
-н: Goldfarb, I, зэрэг
Хэвлэсэн: (1997)