Przejdź do treści
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Język
Wszystkie pola
Tytuł
Autor
Hasło przedmiotowe
Sygnatura
ISBN / ISSN
Etykieta
Szukaj
Wyszukiwanie zaawansowane
Using growth kinetics for nano...
Cytować
Wyślij wiadomość
Wyślij emailem
Drukuj
Eksportuj rekord
Eksportuj do RefWorks
Eksportuj do EndNoteWeb
Eksportuj do EndNote
Odnośnik bezpośredni
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Opis bibliograficzny
Główni autorzy:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Format:
Conference item
Wydane:
1998
Egzemplarz
Opis
Podobne zapisy
Wersja MARC
Podobne zapisy
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
od: Goldfarb, I, i wsp.
Wydane: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
od: Owen, J, i wsp.
Wydane: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
od: Goldfarb, I, i wsp.
Wydane: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
od: Goldfarb, I, i wsp.
Wydane: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
od: Goldfarb, I, i wsp.
Wydane: (1997)