Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Using growth kinetics for nano...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Библиографические подробности
Главные авторы:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1998
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
по: Owen, J, и др.
Опубликовано: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1997)