Hoppa till innehåll
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Språk
Alla fält
Titel
Upphovsman
Ämne
Signum
ISBN/ISSN
Tagg
Sök
Avancerad
Using growth kinetics for nano...
Hänvisa
Textmeddelande
Skicka per e-post
Skriv ut
Exportera posten
Exportera till: RefWorks
Exportera till: EndNoteWeb
Exportera till: EndNote
Permanent länk
Using growth kinetics for nanoengineering of Si-Ge surfaces
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsmän:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Materialtyp:
Conference item
Publicerad:
1998
Beståndsuppgifter
Beskrivning
Liknande verk
Katalogiseringsuppgifter
Liknande verk
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
av: Goldfarb, I, et al.
Publicerad: (1999)
Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
av: Owen, J, et al.
Publicerad: (1997)
Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
av: Goldfarb, I, et al.
Publicerad: (1997)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
av: Goldfarb, I, et al.
Publicerad: (1997)
Gas-source growth of group IV semiconductors: III. Nucleation and growth of Ge/Si(001)
av: Goldfarb, I, et al.
Publicerad: (1997)