Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
STRUCTURE AND PROPERTIES OF DI...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
STRUCTURE AND PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS 1989 - PREFACE
Показать другие версии (1)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Hirsch, P
,
Roberts, S
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1989
Фонды
Описание
Другие версии (1)
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
STRUCTURE AND PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS 1989 - PREFACE
по: Hirsch, P, и др.
Опубликовано: (1989)
Dislocations in semiconductors
по: Bigger, J
Опубликовано: (1992)
DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
по: Cockayne, D, и др.
Опубликовано: (1991)
Atomistic simulation of structure and mobility of dislocation in semiconductor
по: Choo, Zhi Min.
Опубликовано: (2008)
DISLOCATION-STRUCTURES AND MOTION IN II-VI SEMICONDUCTORS
по: Lu, G, и др.
Опубликовано: (1983)