Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Foord, J
,
Singh, N
,
Wee, A
,
French, C
,
Fitzgerald, E
פורמט:
Conference item
יצא לאור:
1991
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1993)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1991)
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1994)