Chuyển đến nội dung
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Ngôn ngữ
Tất cả các trường
Tiêu đề
Tác giả
Chủ đề
Số hiệu
số ISBN/ISSN
Nhãn
Tìm kiếm
Nâng cao
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN...
Trích dẫn điều này
Văn bản này
Email này
In
Xuất bản ghi
Xuất tới RefWorks
Xuất tới EndNoteWeb
Xuất tới EndNote
Liên kết dài hạn
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:
Foord, J
,
Singh, N
,
Wee, A
,
French, C
,
Fitzgerald, E
Định dạng:
Conference item
Được phát hành:
1991
Đang giữ
Miêu tả
Những quyển sách tương tự
Chế độ xem nhân viên
Những quyển sách tương tự
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Bằng: Foord, J, et al.
Được phát hành: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Bằng: Davies, G, et al.
Được phát hành: (1993)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Bằng: Davies, G, et al.
Được phát hành: (1991)
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
Bằng: Foord, J, et al.
Được phát hành: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
Bằng: Davies, G, et al.
Được phát hành: (1994)