Перейти до змісту
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Мова
Всі поля
Назва
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Тег
Знайти
Розширений
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN...
Цитувати
Відправити по sms
Відправити е-поштою
Друк
Експортувати запис
Екпортувати в RefWorks
Екпортувати в EndNoteWeb
Екпортувати в EndNote
Постійне посилання
SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
Бібліографічні деталі
Автори:
Foord, J
,
Singh, N
,
Wee, A
,
French, C
,
Fitzgerald, E
Формат:
Conference item
Опубліковано:
1991
Примірники
Опис
Схожі ресурси
Службовий вигляд
Схожі ресурси
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1993)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1991)
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1993)
SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1994)