Graphene oxide films for field effect surface passivation of silicon for solar cells
In recent years it has been shown that graphene oxide (GO) can be used to passivate silicon surfaces resulting in increased photocurrents in metal-insulator-semiconductor (MIS) tunneling diodes, and in improved efficiencies in Schottky-barrier solar cells with either metal or graphene barriers, howe...
প্রধান লেখক: | Vaqueiro-Contreras, M, Bartlam, C, Bonilla, R, Markevich, V, Halsall, M, Vijayaraghavan, A, Peaker, A |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
Elsevier
2018
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
The surface passivation mechanism of graphene oxide for crystalline silicon
অনুযায়ী: Vaqueiro-Contreras, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020) -
Electric field effect surface passivation for silicon solar cells
অনুযায়ী: Bonilla, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014) -
A technique for field effect surface passivation for silicon solar cells
অনুযায়ী: Bonilla, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014) -
A technique for field effect surface passivation for silicon solar cells
অনুযায়ী: Bonilla Osorio, RS, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014) -
Controlled field effect surface passivation of crystalline n-type silicon and its application to back-contact silicon solar cells
অনুযায়ী: Bonilla, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)