ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING

অন্যান্য সংস্করণ প্রদর্শন করুন (1)

Electron channelling contrast imaging (ECCI) is a SEM based technique for imaging and characterising the Burgers vectors of dislocations in bulk samples. Thus, thin foil relaxation effects do not occur and specimen preparation is relatively straightforward. In this paper we present preliminary resul...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Czernuszka, J, Long, N, Hirsch, P
বিন্যাস:	Conference item
প্রকাশিত:	Publ by Inst of Physics Publ Ltd 1991

অনুরূপ উপাদানগুলি

ANALYSIS OF DEFECTS IN BULK SEMICONDUCTORS USING ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING
অনুযায়ী: Czernuszka, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
অনুযায়ী: Czernuszka, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)

ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF INTERFACIAL DEFECTS IN STRAINED SILICON-GERMANIUM LAYERS ON SILICON
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993)

Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994)

IMAGING OF SEMICONDUCTOR DEFECTS USING ION CHANNELING
অনুযায়ী: King, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993)

Multiple scattering simulation of electron channelling contrast images of dislocations at interfaces
অনুযায়ী: Dudarev, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1995)

EBIC CONTRAST OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
অনুযায়ী: Wilshaw, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)

IMAGING OF DISLOCATIONS USING BACKSCATTERED ELECTRONS IN A SCANNING ELECTRON-MICROSCOPE
অনুযায়ী: Czernuszka, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1990)

THE EFFECTS OF SURFACE STRESS-RELAXATION ON ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGES OF DISLOCATIONS
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1995)

Characterizing dislocation structures in bulk fatigued copper single crystals using electron channelling contrast imaging (ECCI)
অনুযায়ী: Ahmed, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)

Survey of semiconductor physics : electrons and other particles in bulk semiconductors /
অনুযায়ী: 342198 Boer, Karl W.
প্রকাশিত: (1990)

Electron channelling contrast imaging of dislocation substructures in the vicinity of short fatigue cracks in Cu
অনুযায়ী: Ahmed, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1998)

Defect electronics in semiconductors
অনুযায়ী: 269076 Matare, Herbert Franz
প্রকাশিত: (1971)

The methodology of modeling of electronic properties of bulk semiconductor compounds
অনুযায়ী: A. V. Krivosheeva, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019-06-01)

OpenECCI - A Streamlined Open-Source Workflow for Electron Channelling Contrast Imaging of Crystal Defects
অনুযায়ী: Xu Zhou, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-01-01)

Electron channeling and ion channeling contrast imaging of dislocations in nitride thin films
অনুযায়ী: Trager-Cowan, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2008)

Theory of defects in solids : electronic structure of defects in insulators and semiconductors
অনুযায়ী: 375532 Stoneham, A. M.
প্রকাশিত: (1975)

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
অনুযায়ী: Czernuszka, J
প্রকাশিত: (1989)

EFFECT OF SURFACE-CHARGE ON THE DISLOCATION MOBILITY IN SEMICONDUCTORS
অনুযায়ী: Czernuszka, J
প্রকাশিত: (1989)

Examination of dislocation substructures in fatigued Cu using electron channelling contrast imaging
অনুযায়ী: Ahmed, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1999)

Characterization of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging
অনুযায়ী: Trager-Cowan, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)

Characterisation of nitride thin films by electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging
অনুযায়ী: Trager-Cowan, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)

Hydrogen in semiconductors : bulk and surface properties/
অনুযায়ী: Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium (6th : 1990 : Trieste, Italy), অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991)

Defects in semiconductors/
অনুযায়ী: Narayan, J., অন্যান্য
প্রকাশিত: (1980)

Electron diffraction based techniques in scanning electron microscopy of bulk materials
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1998)

Electron diffraction based techniques in scanning electron microscopy of bulk materials
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1997)

Weakly Supervised Image Segmentation for Detecting Defects From Scanning Electron Microscopy Images in Semiconductor
অনুযায়ী: Younghwan Lee, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-01-01)

Depth Dependence of Electron Channeling Contrast Imaging in Gallium Nitride
অনুযায়ী: Lavallee Etienne, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-01-01)

Electron backscatter diffraction and electron channeling contrast imaging of tilt and dislocations in nitride thin films
অনুযায়ী: Trager-Cowan, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Compound semiconductor bulk materials and characterizations /
অনুযায়ী: 173111 Oda, Osamu
প্রকাশিত: (2007)

Quantitative simulations of electron channelling patterns and electron backscattering from crystals
অনুযায়ী: Dudarev, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994)

Characterizing dislocation structure evolution during cyclic deformation using electron channelling contrast imaging
অনুযায়ী: Ahmed, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2006)

Electron Channeling Contrast Imaging (ECCI) of Ion Battery Cathode Materials
অনুযায়ী: Naghizadeh Meysam, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-01-01)

A Review on Machine and Deep Learning for Semiconductor Defect Classification in Scanning Electron Microscope Images
অনুযায়ী: Francisco López de la Rosa, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021-10-01)

Automatic Semiconductor Wafer Image Segmentation for Defect Detection Using Multilevel Thresholding
অনুযায়ী: Saad N.H., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016-01-01)

SEM imaging of contrast arising from different doping concentrations in semiconductors
অনুযায়ী: Sealy, C, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1995)

Weyl points and exceptional rings with polaritons in bulk semiconductors
অনুযায়ী: R. L. Mc Guinness, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020-11-01)

Bulk versus Contact Doping in Organic Semiconductors
অনুযায়ী: Chang-Hyun Kim
প্রকাশিত: (2021-06-01)

Stabilization of semiconductor surfaces through bulk dopants
অনুযায়ী: Nikolaj Moll, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013-01-01)