Multiple scattering simulation of electron channelling contrast images of dislocations at interfaces
Quantum-mechanical multiple scattering theory of electron backscattering from crystalline materials is applied to simulate channelling images of dislocations situated near the surface of a crystal. A computational algorithm is developed which uses perturbation expansion of the solution of an inhomog...
প্রধান লেখক: | Dudarev, S, Czernuszka, J, Peng, L, Wilkinson, A, Whelan, M |
---|---|
বিন্যাস: | Conference item |
প্রকাশিত: |
1995
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
অনুযায়ী: Czernuszka, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1991) -
Quantitative simulations of electron channelling patterns and electron backscattering from crystals
অনুযায়ী: Dudarev, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
THE EFFECTS OF SURFACE STRESS-RELAXATION ON ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGES OF DISLOCATIONS
অনুযায়ী: Wilkinson, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1995)