Multiple scattering simulation of electron channelling contrast images of dislocations at interfaces
Quantum-mechanical multiple scattering theory of electron backscattering from crystalline materials is applied to simulate channelling images of dislocations situated near the surface of a crystal. A computational algorithm is developed which uses perturbation expansion of the solution of an inhomog...
Автори: | Dudarev, S, Czernuszka, J, Peng, L, Wilkinson, A, Whelan, M |
---|---|
Формат: | Conference item |
Опубліковано: |
1995
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
Effects of surface relaxation on electron channelling contrast images of misfit dislocations
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1994) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING (ECCI) OF DISLOCATIONS IN BULK SPECIMENS
за авторством: Czernuszka, J, та інші
Опубліковано: (1991) -
Quantitative simulations of electron channelling patterns and electron backscattering from crystals
за авторством: Dudarev, S, та інші
Опубліковано: (1994) -
ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGING OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1993) -
THE EFFECTS OF SURFACE STRESS-RELAXATION ON ELECTRON CHANNELING CONTRAST IMAGES OF DISLOCATIONS
за авторством: Wilkinson, A, та інші
Опубліковано: (1995)