Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF D...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
Pokaži ostale verzije (1)
Bibliografski detalji
Glavni autori:
Wilshaw, P
,
Fell, T
Format:
Journal article
Izdano:
1989
Primjerci
Opis
Ostale verzije (1)
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
od: Wilshaw, P, i dr.
Izdano: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
od: Fell, T, i dr.
Izdano: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
od: Fell, T, i dr.
Izdano: (1989)
An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon
od: Wilshaw, P, i dr.
Izdano: (1984)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
od: Wilshaw, P, i dr.
Izdano: (1989)