Quantum interference in silicon one-dimensional junctionless nanowire field-effect transistors
We investigate the low-temperature transport in 8-nm-diam Si junctionless nanowire field-effect transistors fabricated by top down techniques with a wraparound gate and two different phosphorus doping concentrations. First we extract the intrinsic gate capacitance of the device geometry from a devic...
প্রধান লেখক: | Schupp, F, Mirza, M, Maclaren, D, Briggs, G, Paul, D, Mol, J |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
American Physical Society
2018
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
One dimensional transport in silicon nanowire junction-less field effect transistors
অনুযায়ী: Mirza, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017) -
One dimensional transport in silicon nanowire junction-less field effect transistors
অনুযায়ী: Muhammad M. Mirza, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017-06-01) -
Junctionless Silicon Nanowire Resonator
অনুযায়ী: Sebastian T. Bartsch, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014-01-01) -
Fabrication and simulation of lithographically defined junctionless lateral gate silicon nanowire transistors
অনুযায়ী: Larki, Farhad
প্রকাশিত: (2012) -
In-situ doped junctionless polysilicon nanowires field effect transistors for low-cost biosensors
অনুযায়ী: Azeem Zulfiqar, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017-04-01)