Transmission electron microscopy study of InGaAs/GaAs structural evolution near the Stranski-Krastanow transformation

Transmission electron microscopy study of InGaAs/GaAs structural evolution near the Stranski-Krastanow transformation

An experimental study of the microstructure during formation and evolution of MOCVD-grown In0.6Ga0.4As/GaAs quantum dots (QDs) was undertaken to provide a more thorough understanding of the underlying growth principles. Transmission Electron Microscopy (TEM) was used to examine the evolution of the...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Wellman, J, George, T, Leon, R, Fafard, S, Zou, J, Cockayne, D
Формат:	Conference item
Опубліковано:	1999

Схожі ресурси

Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots
за авторством: Lobo, C, та інші
Опубліковано: (2000)

Adatom condensation and quantum dot sizes in InGaAs/GaAs (001)
за авторством: Leon, R, та інші
Опубліковано: (2000)

Surface morphology studies of single and double layer In0.5Ga0.5As/GaAs Quantum dots grown by stranski krastanow growth modes /
за авторством: Didik Aryanto, 1983- author, та інші
Опубліковано: (2009)

Surface morphology studies of single and double layer In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by stranski-krastanow growth modes
за авторством: Aryanto, Didik, та інші
Опубліковано: (2009)

Island shape instabilities and surfactant-like effects in the growth of InGaAs/GaAs quantum dots
за авторством: Leon, R, та інші
Опубліковано: (1999)

Oval defects in InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Russell-Harriott, J, та інші
Опубліковано: (1998)

Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots
за авторством: Leon, R, та інші
Опубліковано: (1996)

Investigation of threading dislocation blocking in strained-layer InGaAs/GaAs heterostructures using scanning cathodoluminescence microscopy
за авторством: Russell, J, та інші
Опубліковано: (2000)

Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
за авторством: RussellHarriott, J, та інші
Опубліковано: (1996)

Stable and metastable InGaAs/GaAs island shapes and surfactantlike suppression of the wetting transformation
за авторством: Leon, R, та інші
Опубліковано: (1998)

On-zone axis electron diffraction contrast study of the size of InGaAs/GaAs quantum dots
за авторством: Liao, X, та інші
Опубліковано: (1998)

Structural evolution and the role of dislocations in InGaAs island formation on GaAs (110) and (111)B surfaces
за авторством: Lobo, C, та інші
Опубліковано: (1998)

Structural and compositional analysis of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots
за авторством: Raja S. R. Gajjela, та інші
Опубліковано: (2021-06-01)

Transmission electron microscopy study of InxGa1-xAs quantum dots on a GaAs(001) substrate
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1999)

Structural and compositional analysis of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots
за авторством: Gajjela, RSR, та інші
Опубліковано: (2021)

Transmission-electron microscopy study of the shape of buried InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
за авторством: Liao, X, та інші
Опубліковано: (1998)

Investigation of oval defects in InGaAs/GaAs strained-layer heterostructures using cathodoluminescence and wavelength dispersive spectroscopy
за авторством: Russell-Harriott, J, та інші
Опубліковано: (1998)

Misfit dislocations generated from inhomogeneous sources and their critical thicknesses in a InGaAs/GaAs heterostructure grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Zou, J, та інші
Опубліковано: (1997)

On the Reliability of Accelerated Testing in AIGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs
за авторством: K. F. Yarn, та інші
Опубліковано: (2002-01-01)

Multilayers of InGaAs Nanostructures Grown on GaAs(210) Substrates
за авторством: Wang Zhiming, та інші
Опубліковано: (2010-01-01)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2011)

Ultra-steep side facets in multi-faceted SiGe/Si(001) Stranski-Krastanow islands
за авторством: Brehm Moritz, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)

Improved carrier collection in intermixed InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Dao, L, та інші
Опубліковано: (1998)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S.A. Iliash
Опубліковано: (2016-04-01)

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
за авторством: Li, Chaoyong.
Опубліковано: (2009)

A New AlGaAs/GaAs/InGaAs Lasing Switch Grown by MBE
за авторством: Ming Rong Lee, та інші
Опубліковано: (2001-01-01)

Magneto-photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots grown on (111)B GaAs substrate
за авторством: Tyan, S, та інші
Опубліковано: (2000)

InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots on (111)B orientation
за авторством: Tyan, S, та інші
Опубліковано: (2001)

The Effects of Interdot Spacing and Dot Size on the Performance of InGaAs/GaAs QDIBSC
за авторством: Sayeda Anika Amin, та інші
Опубліковано: (2017-01-01)

Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations
за авторством: A. A. Maldzhy, та інші
Опубліковано: (2006-12-01)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)

31% European InGaP/GaAs/InGaAs Solar Cells for Space Application
за авторством: Campesato Roberta, та інші
Опубліковано: (2017-01-01)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M.M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018-10-01)

DC and AC Characteristics of GaAs/InGaAs/AIGaAS Real Space Transfer Transistors
за авторством: H. C. Chen
Опубліковано: (1998-01-01)

Superluminescent Diodes Based on Chirped InGaAs/GaAs Quantum Well-Dot Layers
за авторством: Mikhail V. Maximov, та інші
Опубліковано: (2023-09-01)

Methods used to develop the light emitting nanostructures with InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: S. Saeid
Опубліковано: (2017-01-01)

Modeling the intermixing effects in highly strained asymmetric InGaAs/GaAs quantum well
за авторством: M. Souaf, та інші
Опубліковано: (2015-09-01)

Study of quantum phenomena in intermixed GaAs/AlGaAs and InGaAs/InGaAsP quantum well structures
за авторством: Au Yeung, Tin Cheung.
Опубліковано: (2008)

Espesores críticos de relajación en pozos cuánticos de InGaAs/ GaAs sobre sustratos de GaAs (001) y (111)B
за авторством: Gutiérrez, M., та інші
Опубліковано: (2000-08-01)