Стиль цитування APA (7-ме видання)

Davies, G., Skevington, P., Foord, J., French, C., & Levoguer, C. (1994). SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Davies, G., P. Skevington, J. Foord, C. French, та C. Levoguer. SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS. 1994.

Стиль цитування MLA (9-ме видання)

Davies, G., et al. SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS. 1994.