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SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS
ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखकों:
Davies, G
,
Skevington, P
,
Foord, J
,
French, C
,
Levoguer, C
स्वरूप:
Conference item
प्रकाशित:
1994
होल्डिंग्स
विवरण
समान संसाधन
स्टाफ के लिए
विवरण
सारांश:
समान संसाधन
REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
द्वारा: Foord, J, और अन्य
प्रकाशित: (1993)
SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
द्वारा: Davies, G, और अन्य
प्रकाशित: (1993)
REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
द्वारा: Foord, J, और अन्य
प्रकाशित: (1993)
SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
द्वारा: Davies, G, और अन्य
प्रकाशित: (1992)
SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
द्वारा: Davies, G, और अन्य
प्रकाशित: (1991)