SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS

SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Davies, G, Skevington, P, Foord, J, French, C, Levoguer, C
פורמט:	Conference item
יצא לאור:	1994

פריטים דומים

REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1993)

SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1993)

REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1993)

SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1992)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1991)

An investigation of ZnSe growth by chemical beam epitaxy using modulated beam scattering and related techniques
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1996)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY INGAAS/INP GROWTH USING TRIETHYLGALLIUM, TRIISOPROPYLGALLIUM AND TRIISOBUTYLGALLIUM SOURCES
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1994)

SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1991)

MODULATED MOLECULAR-BEAM MASS-SPECTROMETRY STUDIES OF THE GROWTH OF GAAS AND INXGA1-XAS USING TRI-ISOBUTYLGALLIUM
מאת: Levoguer, C, et al.
יצא לאור: (1994)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

SELECTIVE AREA GROWTH FOR OPTOELECTRONIC INTEGRATED-CIRCUITS (OEICS)
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1991)

Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III–V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review
מאת: Bin Wang, et al.
יצא לאור: (2022-07-01)

DEVELOPMENT OF CHEMICAL BEAM EPITAXY FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE
מאת: Kingsley, C, et al.
יצא לאור: (1995)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
מאת: Gao, Q, et al.
יצא לאור: (2009)

CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES 1991 - PROCEEDINGS OF THE 3RD INTERNATIONAL-CONFERENCE ON CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES OXFORD, UK, 1-5 SEPTEMBER 1991 - PREFACE
מאת: Davies, G, et al.
יצא לאור: (1992)

Reactivity patterns of stibine and trisdimethylaminoantimony precursors for chemical beam epitaxial growth and etching
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1998)

Growth and mechanistic studies of diamond formation by chemical beam epitaxy using methyl and acetylene precursors
מאת: Foord, J, et al.
יצא לאור: (1996)

Multilayer Epitaxial Heterostructures with Multi-Component III–V:Fe Magnetic Semiconductors
מאת: Alexey V. Kudrin, et al.
יצא לאור: (2023-08-01)

Mid-infrared III–V semiconductor lasers epitaxially grown on Si substrates
מאת: Eric Tournié, et al.
יצא לאור: (2022-06-01)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
מאת: Kolodziejski, Leslie A., et al.
יצא לאור: (2010)

Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
מאת: Zhang, Peng Hua
יצא לאור: (2009)

Molecular beam epitaxial growth of semiconductor heterostructures for THz electronics
מאת: Ustinov Victor M.
יצא לאור: (2018-01-01)

Recent advances in the Van der Waals epitaxy growth of III‐V semiconductor nanowires on graphene
מאת: Ezekiel Anyebe Anyebe, et al.
יצא לאור: (2021-04-01)

The effect of V : III ratio on the growth of InN nanostructures by molecular beam epitaxy
מאת: Oliver, R, et al.
יצא לאור: (2003)

SURFACE CHEMICAL PROCESSES IN METAL ORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY - GA DEPOSITION FROM TRIETHYLGALLIUM ON GAAS(100)
מאת: Murrell, A, et al.
יצא לאור: (1990)

Molecular beam epitaxy of Cd3As2 on a III-V substrate
מאת: Timo Schumann, et al.
יצא לאור: (2016-12-01)

Photoluminescence studies of compound semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy
מאת: Li, He Ming.
יצא לאור: (2009)

Synthesis of long group IV semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy
מאת: Patriarche Gilles, et al.
יצא לאור: (2011-01-01)

In Situ and Real-Time Monitoring of Doping Levels by Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS) during Molecular Beam Epitaxial (MBE) Growth of III/V Semiconductors
מאת: Henning Fouckhardt, et al.
יצא לאור: (2023-01-01)

GROWTH AND MBMS STUDIES OF REACTION-MECHANISMS FOR INXGA1-XAS CBE
מאת: Singh, N, et al.
יצא לאור: (1992)

HREELS STUDIES OF C2H4 ADSORPTION ON III-V SEMICONDUCTOR SURFACES
מאת: Fitzgerald, E, et al.
יצא לאור: (1991)

Engineering III-V nanowires for optoelectronics: from epitaxy to terahertz photonics
מאת: Joyce, HJ, et al.
יצא לאור: (2018)

Wet-chemical synthesis and applications of semiconductor nanomaterial-based epitaxial heterostructures
מאת: Chen, Junze, et al.
יצא לאור: (2020)

Wet-Chemical Synthesis and Applications of Semiconductor Nanomaterial-Based Epitaxial Heterostructures
מאת: Junze Chen, et al.
יצא לאור: (2019-10-01)