SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS

SELECTIVE-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY - STUDY OF REACTION-MECHANISMS

Бібліографічні деталі
Автори:	Davies, G, Skevington, P, Foord, J, French, C, Levoguer, C
Формат:	Conference item
Опубліковано:	1994

Схожі ресурси

REACTION-MECHANISMS GOVERNING THE SELECTED-AREA GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1993)

SURFACE-REACTION MECHANISMS GOVERNING THE SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1993)

REACTION MODELS FOR THE EPITAXIAL-GROWTH OF III-V SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1993)

SELECTIVE AREA GROWTH OF III-V-COMPOUND SEMICONDUCTORS BY CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1992)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY WITH GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1991)

An investigation of ZnSe growth by chemical beam epitaxy using modulated beam scattering and related techniques
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1996)

SOME COMPARISONS OF CHEMICAL BEAM EPITAXY INGAAS/INP GROWTH USING TRIETHYLGALLIUM, TRIISOPROPYLGALLIUM AND TRIISOBUTYLGALLIUM SOURCES
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1994)

SURFACE-REACTION MECHANISMS IN CHEMICAL BEAM EPITAXY
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1991)

MODULATED MOLECULAR-BEAM MASS-SPECTROMETRY STUDIES OF THE GROWTH OF GAAS AND INXGA1-XAS USING TRI-ISOBUTYLGALLIUM
за авторством: Levoguer, C, та інші
Опубліковано: (1994)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

SELECTIVE AREA GROWTH FOR OPTOELECTRONIC INTEGRATED-CIRCUITS (OEICS)
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1991)

Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III–V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review
за авторством: Bin Wang, та інші
Опубліковано: (2022-07-01)

DEVELOPMENT OF CHEMICAL BEAM EPITAXY FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE
за авторством: Kingsley, C, та інші
Опубліковано: (1995)

Epitaxy of III-V semiconductor nanowires towards optoelectronic devices
за авторством: Gao, Q, та інші
Опубліковано: (2009)

CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES 1991 - PROCEEDINGS OF THE 3RD INTERNATIONAL-CONFERENCE ON CHEMICAL BEAM EPITAXY AND RELATED GROWTH TECHNIQUES OXFORD, UK, 1-5 SEPTEMBER 1991 - PREFACE
за авторством: Davies, G, та інші
Опубліковано: (1992)

Reactivity patterns of stibine and trisdimethylaminoantimony precursors for chemical beam epitaxial growth and etching
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1998)

Growth and mechanistic studies of diamond formation by chemical beam epitaxy using methyl and acetylene precursors
за авторством: Foord, J, та інші
Опубліковано: (1996)

Multilayer Epitaxial Heterostructures with Multi-Component III–V:Fe Magnetic Semiconductors
за авторством: Alexey V. Kudrin, та інші
Опубліковано: (2023-08-01)

Mid-infrared III–V semiconductor lasers epitaxially grown on Si substrates
за авторством: Eric Tournié, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of Compound Semiconductors
за авторством: Kolodziejski, Leslie A., та інші
Опубліковано: (2010)

Characterisation of compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Zhang, Peng Hua
Опубліковано: (2009)

Molecular beam epitaxial growth of semiconductor heterostructures for THz electronics
за авторством: Ustinov Victor M.
Опубліковано: (2018-01-01)

Recent advances in the Van der Waals epitaxy growth of III‐V semiconductor nanowires on graphene
за авторством: Ezekiel Anyebe Anyebe, та інші
Опубліковано: (2021-04-01)

The effect of V : III ratio on the growth of InN nanostructures by molecular beam epitaxy
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2003)

SURFACE CHEMICAL PROCESSES IN METAL ORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY - GA DEPOSITION FROM TRIETHYLGALLIUM ON GAAS(100)
за авторством: Murrell, A, та інші
Опубліковано: (1990)

Molecular beam epitaxy of Cd3As2 on a III-V substrate
за авторством: Timo Schumann, та інші
Опубліковано: (2016-12-01)

Photoluminescence studies of compound semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Li, He Ming.
Опубліковано: (2009)

Synthesis of long group IV semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy
за авторством: Patriarche Gilles, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)

In Situ and Real-Time Monitoring of Doping Levels by Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS) during Molecular Beam Epitaxial (MBE) Growth of III/V Semiconductors
за авторством: Henning Fouckhardt, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

GROWTH AND MBMS STUDIES OF REACTION-MECHANISMS FOR INXGA1-XAS CBE
за авторством: Singh, N, та інші
Опубліковано: (1992)

HREELS STUDIES OF C2H4 ADSORPTION ON III-V SEMICONDUCTOR SURFACES
за авторством: Fitzgerald, E, та інші
Опубліковано: (1991)

Engineering III-V nanowires for optoelectronics: from epitaxy to terahertz photonics
за авторством: Joyce, HJ, та інші
Опубліковано: (2018)

Wet-chemical synthesis and applications of semiconductor nanomaterial-based epitaxial heterostructures
за авторством: Chen, Junze, та інші
Опубліковано: (2020)

Wet-Chemical Synthesis and Applications of Semiconductor Nanomaterial-Based Epitaxial Heterostructures
за авторством: Junze Chen, та інші
Опубліковано: (2019-10-01)