Neidio i'r cynnwys
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Iaith
Pob Maes
Teitl
Awdur
Pwnc
Rhif Galw
ISBN/ISSN
Tag
Canfod
Uwch
Dopant mapping for the nanotec...
Dyfynnu hwn
Anfonwch hwn fel neges destun
E-bostio hwn
Argraffu
Allforio Cofnod
Allforio i RefWorks
Allforio i EndNoteWeb
Allforio i EndNote
Permanent link
Dopant mapping for the nanotechnology age.
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awduron:
Castell, M
,
Muller, D
,
Voyles, P
Fformat:
Journal article
Iaith:
English
Cyhoeddwyd:
2003
Daliadau
Disgrifiad
Eitemau Tebyg
Dangos Staff
Eitemau Tebyg
Mechanism for secondary electron dopant contrast in the SEM
gan: Sealy, C, et al.
Cyhoeddwyd: (2000)
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon: dopant mapping through secondary electron imaging
gan: Castell, M, et al.
Cyhoeddwyd: (1999)
Nanotechnology in construction /
gan: Bartos, P. J. M.
Cyhoeddwyd: (2004)
Application of secondary electron dopant contrast imaging to InP/InGaAsP laser structures
gan: Sealy, C, et al.
Cyhoeddwyd: (1997)
Nanotechnologies /
gan: Wautlet, Michael, et al.
Cyhoeddwyd: (2009)