THE PLASTICITY OF GAAS AT MEDIUM AND LOW-TEMPERATURES

THE PLASTICITY OF GAAS AT MEDIUM AND LOW-TEMPERATURES

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Rabier, J
التنسيق:	Conference item
منشور في:	1989

مواد مشابهة

PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
حسب: Demenet, J, وآخرون
منشور في: (1989)

Indentation Test on GaAs: Modelling of the Plastic Zone
حسب: Lohonka, R., وآخرون
منشور في: (2006-08-01)

Non-equilibrium critical point in Be-doped low-temperature-grown GaAs
حسب: Mohamed, Mohd Ambri, وآخرون
منشور في: (2013)

PLASTIC-DEFORMATION UNDER MICROINDENTATIONS IN GAAS/ALAS SUPERLATTICES
حسب: Castell, M, وآخرون
منشور في: (1993)

INDENTATION PLASTICITY AND POLARITY OF HARDNESS ON (111) FACES OF GAAS
حسب: Hirsch, P, وآخرون
منشور في: (1985)

Interpretation of an anomalous peak in low-temperature photoluminescence measurements of bulk GaAs[sub 1−x]N[sub x] on GaAs
حسب: Cheah, Weng Kwong, وآخرون
منشور في: (2013)

The Influence of the Temperature Factor on Deformability of the Plastic Medium
حسب: Chygyryns’ky, V. V., وآخرون
منشور في: (2006-01-01)

Low temperature direct wafer bonding of GaAs to Si via plasma activation
حسب: Xu, D. W., وآخرون
منشور في: (2014)

Transition of electron transport process in Be-doped low-temperature-grown GaAs layer
حسب: Mohamed, Mohd Ambri, وآخرون
منشور في: (2013)

INDENTATION PLASTICITY OF SINGLE AND MULTIPLE LAYER GAAS-ALAS HETEROSTRUCTURES
حسب: Castell, M, وآخرون
منشور في: (1993)

CHEMICAL PRECURSORS FOR GAAS ETCHING WITH LOW-ENERGY ION-BEAMS - CHLORINE ADSORPTION ON GAAS(100)
حسب: Jackman, R, وآخرون
منشور في: (1991)

Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells
حسب: Jo Masafumi, وآخرون
منشور في: (2011-01-01)

Modelling and Analysis of Low and Medium-Temperature Pyrolysis of Plastics in a Fluidized Bed Reactor for Energy Recovery
حسب: Natalia Wikira, وآخرون
منشور في: (2024-12-01)

Low temperature creep plasticity
حسب: Michael E. Kassner, وآخرون
منشور في: (2014-07-01)

OPTICAL MEASUREMENTS OF CORRELATED STATES OF 2-DIMENSIONAL ELECTRONS IN GAAS AT LOW-TEMPERATURES AND HIGH MAGNETIC-FIELDS
حسب: Ryan, J, وآخرون
منشور في: (1991)

Cooperative transition of electronic states of antisite As defects in Be-doped low-temperature-grown GaAs layers
حسب: Mohamed, Mohd Ambri, وآخرون
منشور في: (2011)

Origin of cooperative transition of antisite-Arsenic defects in Be-doped low-temperature-grown GaAs layers
حسب: Mohamed, Mohd Ambri, وآخرون
منشور في: (2013)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
حسب: Saxena, D, وآخرون
منشور في: (2013)

Current-Induced Spin Photocurrent in GaAs at Room Temperature
حسب: Yang Zhang, وآخرون
منشور في: (2022-01-01)

Low-noise GaAs quantum dots for quantum photonics
حسب: Liang Zhai, وآخرون
منشور في: (2020-09-01)

Experimental Studies of New GaAs Metal/Insulator/p-n+ Switches Using Low Temperature Oxide
حسب: K. F. Yarn
منشور في: (2002-01-01)

Measuring and modeling low frequency dispersion in GaAs MESFETs
حسب: Sodhi, Hemraj Singh
منشور في: (2007)

Extending the magnetic order of MnAs films on GaAs to higher temperatures
حسب: Ney, A, وآخرون
منشور في: (2005)

Temperature characterization of GaAs/AlGaAs connecting tunnel diodes
حسب: Kontrosh Evgeniy, وآخرون
منشور في: (2023-12-01)

Temperature dependence of pulsed polariton lasing in a GaAs microcavity
حسب: Jean-Sebastian Tempel, وآخرون
منشور في: (2012-01-01)

Surface Morphology Evolution of GaAs by Low Energy Ion Sputtering
حسب: Wang Y, وآخرون
منشور في: (2007-01-01)

Effect of strain on the local phase transition temperature of MnAs/GaAs(001)
حسب: Mohanty, J, وآخرون
منشور في: (2003)

Dependence of the vertical‐tunnel‐junction GaAs solar cell on concentration and temperature
حسب: Celia Outes, وآخرون
منشور في: (2022-06-01)

Performance Enhancement of a GaAs Detector with a Vertical Field and an Embedded Thin Low-Temperature Grown Layer
حسب: Bahram Nabet, وآخرون
منشور في: (2013-02-01)

THERMOELECTRIC-POWER OF GAAS-GAA1AS HETEROSTRUCTURES IN HIGH MAGNETIC-FIELDS
حسب: Vuong, T, وآخرون
منشور في: (1986)

Improved performance of multilayer InAs/GaAs quantum-dot solar cells using a high-growth-temperature GaAs spacer layer
حسب: Tutu, F, وآخرون
منشور في: (2012)

Improved performance of multilayer InAs/GaAs quantum-dot solar cells using a high-growth-temperature GaAs spacer layer
حسب: Tutu, F, وآخرون
منشور في: (2012)

GaAs TEKNOLOJİSİ
حسب: Mustafa Temiz
منشور في: (1995-02-01)

GaAs TEKNOLOJİSİ
حسب: Mustafa TEMİZ
منشور في: (1995-02-01)

GaAs TEKNOLOJİSİ
حسب: Mustafa TEMİZ
منشور في: (1995-02-01)

GaAs TECHNOLOGY
حسب: Mustafa TEMİZ
منشور في: (1995-02-01)

GaAs TEKNOLOJİSİ
حسب: Mustafa TEMİZ
منشور في: (1995-02-01)

OPTICAL-DETECTION OF THE INTEGER AND FRACTIONAL QUANTUM HALL-EFFECTS IN GAAS AT MILLIKELVIN TEMPERATURES
حسب: Turberfield, A, وآخرون
منشور في: (1991)

INTERACTION OF ELECTRONS WITH INTERFACE PHONONS IN GAAS/ALAS AND GAAS/ALGAAS HETEROSTRUCTURES
حسب: Lugli, P, وآخرون
منشور في: (1992)

Direct GaAs Nanowire Growth and Monolithic Light‐Emitting Diode Fabrication on Flexible Plastic Substrates
حسب: Vladislav Khayrudinov, وآخرون
منشور في: (2022-08-01)