Glasko, J., Elliman, R., Zou, J., Cockayne, D., & Gerald, F. (1998). Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Glasko, J., R. Elliman, J. Zou, D. Cockayne, و F. Gerald. Strain and Defect Microstructure in Ion-irradiated GeSi/Si Strained Layers as a Function of Annealing Temperature. 1998.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Glasko, J., et al. Strain and Defect Microstructure in Ion-irradiated GeSi/Si Strained Layers as a Function of Annealing Temperature. 1998.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.