Glasko, J., Elliman, R., Zou, J., Cockayne, D., & Gerald, F. (1998). Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature.
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Glasko, J., R. Elliman, J. Zou, D. Cockayne, и F. Gerald. Strain and Defect Microstructure in Ion-irradiated GeSi/Si Strained Layers as a Function of Annealing Temperature. 1998.
Цитирование MLA (9-е изд.)Glasko, J., et al. Strain and Defect Microstructure in Ion-irradiated GeSi/Si Strained Layers as a Function of Annealing Temperature. 1998.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.