Glasko, J., Elliman, R., Zou, J., Cockayne, D., & Gerald, F. (1998). Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Glasko, J., R. Elliman, J. Zou, D. Cockayne, và F. Gerald. Strain and Defect Microstructure in Ion-irradiated GeSi/Si Strained Layers as a Function of Annealing Temperature. 1998.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Glasko, J., et al. Strain and Defect Microstructure in Ion-irradiated GeSi/Si Strained Layers as a Function of Annealing Temperature. 1998.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.