Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Glasko, J, Elliman, R, Zou, J, Cockayne, D, Gerald, F
פורמט:	Journal article
יצא לאור:	1998

פריטים דומים